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RJF0611JPD-00#J3

Name: Renesas Electronics RJF0611JPD-00#J3
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJF0611JPD-00#J3
Price: 2.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

968-RJF0611JPD-00#J3

N° de fab. :

RJF0611JPD-00#J3

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

MOSFET Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

Fiche technique:

RJF0611JPD-00#J3 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-4 (TO-252-4)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 2.5 V, 16 V
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.2 us
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12.7 us
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	3.5 us
Délai d'activation standard:	4 us

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Fiche technique

RJF0611JPD-00#J3 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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