RQ7E110AJTCR

ROHM Semiconductor
755-RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR

Fab. :

Description :
MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 825

Stock:
825 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,22 € 1,22 €
0,777 € 7,77 €
0,537 € 53,70 €
0,435 € 217,50 €
0,386 € 386,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,338 € 1.014,00 €
0,315 € 1.890,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TSMT-8
N-Channel
1 Channel
30 V
11 A
9 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 79 ns
Transconductance directe - min.: 13 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 18 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 87 ns
Délai d'activation standard: 22 ns
Raccourcis pour l'article N°: RQ7E110AJ
Poids de l''unité: 10 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

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