RGEX5TS65DGC13

ROHM Semiconductor
755-RGEX5TS65DGC13
RGEX5TS65DGC13

Fab. :

Description :
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

Cycle de vie:
NRND:
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En stock: 600

Stock:
600 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 600 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,23 € 8,23 €
4,88 € 48,80 €
4,31 € 431,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247GE-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
30 V
102 A
306 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marque: ROHM Semiconductor
Courant de collecteur continu Ic max.: 75 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 200 nA
Type de produit: IGBTs
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE

Les IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE de ROHM Semiconductor  présentent une faible tension de saturation collecteur-émetteur, de faibles pertes de commutation et un temps de tenue aux courts-circuits de 5μs. Les IGBTs RGE de  ROHM Semiconductor  assurent une exploitation fiable dans des conditions de stress élevé. La FRD de récupération rapide et progressive intégrée améliore l'efficacité et le placage sans plomb assure la conformité à la directive RoHS. Idéale pour les convertisseurs généraux, les systèmes d'alimentation électrique sans coupure  (ASI), les conditionneurs de puissance et les appareils de soudure, la série RGE fournit une solution robuste qui répond aux besoins de lagestion d'alimentation moderne.