QPD2040D

Qorvo
772-QPD2040D
QPD2040D

Fab. :

Description :
Transistors JFET RF 0.40 mm Pwr pHEMT

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 100   Multiples : 100
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 100)
10,95 € 1.095,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Qorvo
Catégorie du produit: Transistors JFET RF
RoHS:  
pHEMT
GaAs
13 dB
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
Marque: Qorvo
NF : facteur de bruit: 1.1 dB
Type de produit: RF JFET Transistors
Série: QPD2040D
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: Transistors
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D

La puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D de Qorvo est conçue à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance 0,25 µm standard de Qorvo. Le processus dispose de techniques avancées pour optimiser la puissance et le rendement des micro-ondes dans des conditions de fonctionnement à haute polarisation de drain. La QPD2040D fonctionne de CC à 20 GHz avec une puissance de sortie standard de 26 dBm à P1dB et un gain de 13 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à une compression de 1 dB. Ce niveau de performance est idéal pour les applications à haut rendement. La couche de revêtement de protection avec nitrure de silicium procure une robustesse environnementale et une protection contre les rayures.