PCDD0865G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD0865G1L20001
PCDD0865G1_L2_00001

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 3000   Multiples : 3000
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,61 € 4.830,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
8 A
650 V
1.5 V
480 A
3 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Marque: Panjit
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Pd - Dissipation d’énergie : 83.3 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité: 321,700 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.