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PSMNR70-30YLHX

Name: Nexperia PSMNR70-30YLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMNR70-30YLHX
Price: 0.73 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PSMNR70-30YLHX

N° de fab. :

PSMNR70-30YLHX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 N-CH 30V 300A

Fiche technique:

PSMNR70-30YLHX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-56-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	300 A
Rds On - Résistance drain-source:	820 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	157 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	268 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934660105115
Poids de l''unité:	82,240 mg

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TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel 30V MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low R_DSon and low I_DSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.