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PSMN1R6-30MLHX

Name: Nexperia PSMN1R6-30MLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R6-30MLHX
Price: 0.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PSMN1R6-30MLHX

N° de fab. :

PSMN1R6-30MLHX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK

Fiche technique:

PSMN1R6-30MLHX Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	160 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	106 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	24 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	34 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934660071115
Poids de l''unité:	100,200 mg

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Fiche technique

PSMN1R6-30MLHX Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel 30V MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low R_DSon and low I_DSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.