Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

PSMN1R0-100ASEJ

Name: Nexperia PSMN1R0-100ASEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R0-100ASEJ
Price: 9.37 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PSMN1R0-100ASEJ

N° de fab. :

PSMN1R0-100ASEJ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT8000 100V 430A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PSMN1R0-100ASEJ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Nexperia PSMN1R0-100ASEJ

En stock: 2.011

Stock:: 2.011

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 2.000

25/03/2026 attendu
Délai usine :: 53

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,37 €	9,37 €
	6,83 €	68,30 €
	5,69 €	569,00 €
	5,33 €	2.665,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,98 €	4.980,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT8000A-12
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	430 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.04 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	339 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.55 kW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	131 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	91 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	212 ns
Délai d'activation standard:	87 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934666620118

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif

Nexperia CCPAK ASFETs for Hotswap and Soft Start offer a reliable linear mode, enhanced SOA, and low R_DS(on). The CCPAK ASFETs are designed for carefully controlled in-rush current to protect components on replacement boards inserted into a live system. The devices ensure these always-on systems do not experience any power disruption. The Nexperia CCPAK ASFETs are optimized for strong SOA and low R_DS(on) in a single device.

MOSFET de puissance à application spécifique

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.