PSC1065H-QJ

Nexperia
771-PSC1065H-QJ
PSC1065H-QJ

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L

Cycle de vie:
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Nexperia
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
DPAK-R2P
Single
10 A
650 V
1.5 V
440 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
Marque: Nexperia
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Pd - Dissipation d’énergie : 58 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
Raccourcis pour l'article N°: 934663218118
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Diodes Schottky SiC PSC1065H

La diode SCHOTTKY au carbure de silicium (SiC) PSC1065H de Nexperia combine des performances ultra-élevées et une haute efficacité avec une faible perte d’énergie dans les applications de conversion d’énergie. Ces diodes fournissent un arrêt capacitif indépendant de la température, un comportement de commutation à récupération nulle et un excellent facteur de mérite (QC x VF). Les diodes SCHOTTKY SiC PSC1065H disposent d’une miniaturisation du système, d’une capacité IFSM élevée, d’une densité à haute puissance, d’un coût système réduit et d’une EMI réduite. Ces diodes sont utilisées dans des convertisseurs CA-CC et CC-CC, des alimentations électriques de serveurs et de télécommunications, une alimentation sans interruption (ASI) et des convertisseurs photovoltaïques.