Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

PMPB13XNEAX

Name: Nexperia PMPB13XNEAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMPB13XNEAX
Price: 0.18 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMPB13XNEAX

N° de fab. :

PMPB13XNEAX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1220 N-CH 30V 8A

Fiche technique:

PMPB13XNEAX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Nexperia PMPB13XNEAX

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 3000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,182 €	546,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020MD-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	11.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	49 ns
Transconductance directe - min.:	60 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934070924115

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

PMPB13XNEAX Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles à signal faible

Les MOSFET automobiles petit signal Nexperia offrent une fiabilité de performance avec une conformité totale à la norme AEC-Q101. Nexperia offre un large portefeuille de MOSFET à signal faible, avec une résistance drain-source à l'état pouvant descendre à 15 mΩ, jusqu'à un courant de drain maximal de 6 A et options de tension drain-source de 20 V à 100 V. Ces composants Nexperia sont proposés dans divers types de boîtiers pour une flexibilité de conception, avec des options DFN à fil et sans fil.