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GAN3R2-100CBEAZ

Name: Nexperia GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN3R2-100CBEAZ
Price: 4.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-GAN3R2-100CBEAZ

N° de fab. :

GAN3R2-100CBEAZ

Fab. :

Nexperia

Description :

FET GaN SOT8072 100V 60A FET

Fiche technique:

GAN3R2-100CBEAZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,02 €	4,02 €
	2,66 €	26,60 €
	1,89 €	189,00 €
	1,76 €	880,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,48 €	2.220,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WLCSP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	394 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Raccourcis pour l'article N°:	934665899341

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Fiche technique

GAN3R2-100CBEAZ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET GaN eMode

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low Q_C and Q_OSS values, resulting in excellent power efficiency.