Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSCSM70VM19C3AG

Name: Microchip MSCSM70VM19C3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSCSM70VM19C3AG
Price: 102.93 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

494-MSCSM70VM19C3AG

N° de fab. :

MSCSM70VM19C3AG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Afficher dans le Sélecteur d'outils de développement

Fiche technique:

MSCSM70VM19C3AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 6 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	102,93 €	617,58 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	700 V
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SP3F
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Bulk
Marque:	Microchip Technology
Temps de descente:	20 ns
Id - Courant continu de fuite:	124 A
Pd - Dissipation d’énergie :	365 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Temps de montée:	35 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V