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MSCSM70AM19CT1AG

Name: Microchip MSCSM70AM19CT1AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSCSM70AM19CT1AG
Price: 89.34 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

494-MSCSM70AM19CT1AG

N° de fab. :

MSCSM70AM19CT1AG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F

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Fiche technique:

MSCSM70AM19CT1AG Fiche technique (PDF)

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Disponibilité

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	89,34 €	625,38 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	700 V
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SP1F
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Bulk
Marque:	Microchip Technology
Temps de descente:	20 ns
Id - Courant continu de fuite:	124 A
Pd - Dissipation d’énergie :	365 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Temps de montée:	35 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V