Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSCSM170TAM15CTPAG

Name: Microchip MSCSM170TAM15CTPAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M170TAM15CTPAG
Price: 678.13 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

579-M170TAM15CTPAG

N° de fab. :

MSCSM170TAM15CTPAG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules MOSFET PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P

Fiche technique:

MSCSM170TAM15CTPAG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	678,13 €	678,13 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	Module
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	179 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	843 W
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	19 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	17 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	MOSFET / SiC SBD
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Vf - Tension directe:	3.7 V