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MSCSM120HM083CAG

Name: Microchip MSCSM120HM083CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM083CAG
Price: 541.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

579-MSCSM120HM083CAG

N° de fab. :

MSCSM120HM083CAG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Fiche technique:

MSCSM120HM083CAG Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	Full Bridge
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
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USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules de puissance MOSFET SiC à branche de phase AgileSwitch®

Les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) à branche de phase AgileStrip® de Microsemi / Microchip sont construits avec des MOSFET SiC et des diodes SiC et combinent les avantages des deux composants. Ces modules de puissance disposent d’un boîtier SP6LI à inductance extrêmement faible avec une inductance parasite maximale de 3 nH. Ces modules de puissance SP6LI sont proposés en variantes 1 200 V et 1 700 V avec une température de boîtier (T_c) de +80 °C. Offrant une densité de puissance plus élevée et un format compact, le boîtier SP6LI permet une plus faible quantité de modules en parallèle pour atteindre des systèmes complets, aidant les concepteurs à réduire davantage leur équipement.