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MSCSM120DDUM31TBL2NG

Name: Microchip MSCSM120DDUM31TBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DDUM31TBL2NG
Price: 157.57 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

579-M120DDUM31TBL2NG

N° de fab. :

MSCSM120DDUM31TBL2NG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL2

Fiche technique:

MSCSM120DDUM31TBL2NG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	79 A
Rds On - Résistance drain-source:	31 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	310 W
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Double Dual Common Source
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	MOSFET Power Module
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	30 ns