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MSCSM120AM03CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM03CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM03CT6LIAG
Price: 849.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-SM120AM03CT6LIAG

N° de fab. :

MSCSM120AM03CT6LIAG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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Fiche technique:

MSCSM120AM03CT6LIAG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SP6
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Temps de descente:	67 ns
Id - Courant continu de fuite:	805 A
Pd - Dissipation d’énergie :	3.215 kW
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	3.1 mOhms
Temps de montée:	55 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	166 ns
Délai d'activation standard:	56 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Modules de puissance MOSFET SiC à branche de phase AgileSwitch®

Les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) à branche de phase AgileStrip® de Microsemi / Microchip sont construits avec des MOSFET SiC et des diodes SiC et combinent les avantages des deux composants. Ces modules de puissance disposent d’un boîtier SP6LI à inductance extrêmement faible avec une inductance parasite maximale de 3 nH. Ces modules de puissance SP6LI sont proposés en variantes 1 200 V et 1 700 V avec une température de boîtier (T_c) de +80 °C. Offrant une densité de puissance plus élevée et un format compact, le boîtier SP6LI permet une plus faible quantité de modules en parallèle pour atteindre des systèmes complets, aidant les concepteurs à réduire davantage leur équipement.