MSCSM120AM027CD3AG

Microchip Technology
494-120AM027CD3AG
MSCSM120AM027CD3AG

Fab. :

Description :
Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

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Microchip
Catégorie du produit: Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
D3
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marque: Microchip Technology
Temps de descente: 67 ns
Id - Courant continu de fuite: 733 A
Pd - Dissipation d’énergie : 2.97 kW
Type de produit: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source: 3.5 mOhms
Temps de montée: 55 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 166 ns
Délai d'activation standard: 56 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99