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MSC080SMA120SDT/RM

Name: Microchip MSC080SMA120SDT/RM
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MC080SMA120SDTRM
Price: 13.09 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

579-MC080SMA120SDTRM

N° de fab. :

MSC080SMA120SDT/RM

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7L XL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

MSC080SMA120SDT/RM Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	43 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	268 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	12 ns
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	13 ns