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MSC080SMA120B4N

Name: Microchip MSC080SMA120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA120B4N
Price: 8.58 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

579-MSC080SMA120B4N

N° de fab. :

MSC080SMA120B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MSC080SMA120B4N Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	231 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Produit:	MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	mSIC MOSFET
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	13 ns