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MSC050SDA120B

Name: Microchip MSC050SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120B
Price: 14.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-MSC050SDA120B

N° de fab. :

MSC050SDA120B

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

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Fiche technique:

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Délai usine :: 7

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,55 €	14,55 €
	13,42 €	402,60 €
	11,68 €	1.401,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	50 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	290 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	MSC0
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Pd - Dissipation d’énergie :	429 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Poids de l''unité:	12 g

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