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MSC035SMA170B4

Name: Microchip MSC035SMA170B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC035SMA170B4
Price: 35.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-MSC035SMA170B4

N° de fab. :

MSC035SMA170B4

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

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Fiche technique:

MSC035SMA170B4 Fiche technique (PDF)

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	35,95 €	35,95 €
	33,14 €	994,20 €
	28,84 €	3.460,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	68 A
Rds On - Résistance drain-source:	35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	178 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	370 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.