MSC030SMB120B4N

Microchip Technology
579-MSC030SMB120B4N
MSC030SMB120B4N

Fab. :

Description :
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:
Nouveau produit:
Nouveau chez ce fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 115

Stock:
115 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
1 semaine Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
10,04 € 10,04 €
9,25 € 277,50 €
8,06 € 967,20 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Microchip
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
69 A
40 mOhms
- 10 V, 21 V
5 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
310 W
Enhancement
Marque: Microchip Technology
Configuration: Single
Temps de descente: 10 ns
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 16 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 32 ns
Délai d'activation standard: 18 ns
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

ECCN:
EAR99

MOSFET SIC 1 200 V

Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip Technology offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte. Les dispositifs fournissent une faible résistance de grille interne (ESR), ce qui se traduit par un retard de commutation faible. Les MOSFET sont simples à actionner et faciles à mettre en parallèle, avec des capacités thermiques améliorées et des pertes de commutation réduites.