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MSC030SDA120S

Name: Microchip MSC030SDA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120S
Price: 10 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-MSC030SDA120S

N° de fab. :

MSC030SDA120S

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Diodes Schottky SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268

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Fiche technique:

MSC030SDA120S Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK
Configuration:	Single
If - Courant direct:	30 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	165 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	MSC0
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

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Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm² à 15 J/cm² et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.