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MSC015SMA070B4N

Name: Microchip MSC015SMA070B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC015SMA070B4N
Price: 18.27 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-MSC015SMA070B4N

N° de fab. :

MSC015SMA070B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MSC015SMA070B4N Fiche technique (PDF)

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	18,27 €	18,27 €
	16,85 €	505,50 €
	14,66 €	1.759,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	112 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	215 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	524 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	27 ns

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Fiche technique

MSC015SMA070B4N Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC)

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET de puissance au silicium (Si) conventionnels. Ces MOSFET ont de faibles capacités, une faible charge de grille, une vitesse de commutation rapide et une bonne robustesse en avalanche. Les MOSFET SiC peuvent stabiliser le fonctionnement à une température de jonction élevée de 175 °C. Ces MOSFET offrent un haut rendement avec de faibles pertes de commutation. Les MOSFET SiC ne nécessitent pas de diodes de roue libre. Les applications standard incluent la transmission et la distribution de réseaux intelligents, le chauffage et la soudure par induction, ainsi que l’alimentation et la distribution.