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MIC4606-2YML-TR

Name: Microchip MIC4606-2YML-TR
Brand: Microchip Technology
SKU: 998-MIC4606-2YMLTR
Price: 2.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

998-MIC4606-2YMLTR

N° de fab. :

MIC4606-2YML-TR

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Commandes de grilles 85V Full Bridge FET Driver

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Fiche technique:

MIC4606-2YML-TR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,26 €	2,26 €
	1,88 €	47,00 €
	1,72 €	172,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,72 €	8.600,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	MOSFET Gate Drivers
Type:	Full-Bridge
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-16
Nombre de pilotes:	4 Driver
Nombre de sorties:	4 Output
Courant de sortie:	1 A
Tension d’alimentation - Min.:	5.5 V
Tension d’alimentation - Max.:	16 V
Configuration:	Non-Inverting
Temps de montée:	20 ns
Temps de descente:	20 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	MIC4606
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	MIC4606-2YML TR

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MIC4606 85V Full Bridge MOSFET Driver

Microchip Technology MIC4606 85V Full-Bridge MOSFET Driver offers adaptive dead time and shoot-through protection. MIC4606's adaptive dead-time circuitry constantly monitors both sides of the full bridge. This design minimizes the time between high-side and low-side MOSFET transitions, which in turn maximizes power efficiency.