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AT28C256-15SU

Name: Microchip AT28C256-15SU
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-AT28C25615SU
Price: 10.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

556-AT28C25615SU

N° de fab. :

AT28C256-15SU

Fab. :

Microchip Technology

Description :

EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

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Fiche technique:

AT28C256-15SU Fiche technique (PDF)

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	10,90 €	10,90 €
	10,49 €	283,23 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	EEPROM
RoHS:
Taille de la mémoire:	256 kbit
Type d'interface:	Parallel
Fréquence de l'horloge max.:	5 MHz
Organisation:	32 k x 8
Package/Boîte:	SOIC-28
Temps d'accès:	150 ns
Tension d’alimentation - Min.:	4.5 V
Tension d’alimentation - Max.:	5.5 V
Style de montage:	SMD/SMT
Rétention des données:	10 Year
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	AT28C256
Conditionnement:	Tube
Courant de lecture actif maximal:	50 mA
Marque:	Microchip Technology
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	50 mA
Tension d'alimentation de fonctionnement:	5 V
Temps d'accès de la sortie activé:	70 ns
Type de produit:	EEPROM
Nombre de pièces de l'usine:	27
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	50 mA
Poids de l''unité:	1,806 g

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TARIC:: 8542327500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 8542320393
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention.