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APT80GA60LD40

Name: Microchip APT80GA60LD40
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT80GA60LD40
Price: 10.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-APT80GA60LD40

N° de fab. :

APT80GA60LD40

Fab. :

Microchip Technology

Description :

IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264

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Fiche technique:

APT80GA60LD40 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-264-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 30 V, 30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	143 A
Pd - Dissipation d’énergie :	625 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Courant de collecteur continu Ic max.:	143 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	POWER MOS 8
Poids de l''unité:	10,600 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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