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PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 101.46 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

941-PXAE263708NBV1R2

N° de fab. :

PXAE263708NB-V1-R2

Fab. :

MACOM

Description :

Transistors MOSFET RF 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Fiche technique:

PXAE263708NB-V1-R2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	101,46 €	101,46 €
	84,40 €	844,00 €
	76,88 €	7.688,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	76,88 €	19.220,00 €
500	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Vds - Tension de rupture drain-source:	65 V
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Fréquence de fonctionnement:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Gain:	13.5 dB
Alimentation en sortie:	400 W
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	HB2SOF-8-1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	MACOM
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Nombre de canaux:	1 Channel
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V to + 10 V

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

JFET RF et FET LDMOS 5G

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) RF et les FET à semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) 5G de MACOM sont des transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil. Ces dispositifs possèdent un GaN sur une Technologie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) SiC, une correspondance à l'entrée, une haute efficacité et un boîtier à montage en surface thermique amélioré avec une bride sans oreille. Les JFET MACOM 5 G RF et les FET LDMOS sont idéaux pour les applications d'amplificateur de puissance cellulaires multi-standard.