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GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 173 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-GTVA262701FAV2R0

N° de fab. :

GTVA262701FA-V2-R0

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Fiche technique:

GTVA262701FA-V2-R0 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)

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MouseReel™ (+5,00 €)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	173,00 €	173,00 €
	147,44 €	1.474,40 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	147,44 €	7.372,00 €
100	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-87265J-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	125 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Marque:	MACOM
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	17 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	2.69 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.496 GHz
Alimentation en sortie:	270 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

JFET RF et FET LDMOS 5G

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) RF et les FET à semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) 5G de MACOM sont des transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil. Ces dispositifs possèdent un GaN sur une Technologie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) SiC, une correspondance à l'entrée, une haute efficacité et un boîtier à montage en surface thermique amélioré avec une bride sans oreille. Les JFET MACOM 5 G RF et les FET LDMOS sont idéaux pour les applications d'amplificateur de puissance cellulaires multi-standard.