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CGH40120F

Name: MACOM CGH40120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40120F
Price: 378.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGH40120F

N° de fab. :

CGH40120F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

Fiche technique:

CGH40120F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440193
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Kit de développement:	CGH40120F-TB
Gain:	19 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	2.5 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1 GHz
Alimentation en sortie:	120 W
Conditionnement:	Tray
Produit:	GaN HEMTs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V
Poids de l''unité:	30,467 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HEMT au GaN

Les HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) au GaN (nitrure de gallium) Cree offrent une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée.
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