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LSIC2SD065D08A

Name: Littelfuse LSIC2SD065D08A
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD065D08A
Price: 2.16 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

576-LSIC2SD065D08A

N° de fab. :

LSIC2SD065D08A

Fab. :

Littelfuse

Description :

Diodes Schottky SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

Fiche technique:

LSIC2SD065D08A Fiche technique

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Fabricant:	Littelfuse
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-2 (TO-263-2)
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.8 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	40 A
Ir - Courant inverse:	100 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	LSIC2SD
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	Littelfuse
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET

Les SiC MOSFET de Littelfuse sont optimisés pour les applications haute fréquence et haut rendement. Ces SiC MOSFET robustes sont disponibles en boîtier TO-247-3L et offrent une résistance très faible à l'état passant. Littelfuse offre des SiC MOSFET conçus, développés et fabriqués avec une charge de grille et une capacité de sortie extrêmement faibles, des performances et une robustesse exceptionnelles à toutes les températures et une résistance très faible à l'état passant. Disponibles dès maintenant de 1200 V, dans les versions 80, 120 et 160 mOhm.

LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).