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ISG0616N10NM5HSCATMA1

Name: Infineon ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISG0616N10NM5HSC
Price: 4.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISG0616N10NM5HSC

N° de fab. :

ISG0616N10NM5HSCATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >80 - 100V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISG0616N10NM5HSCATMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,21 €	4,21 €
	3,24 €	32,40 €
	2,33 €	233,00 €
	2,27 €	1.135,00 €
	2,15 €	2.150,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,92 €	5.760,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TFN-10
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	139 A
Rds On - Résistance drain-source:	4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	52 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Temps de descente:	7.8 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISG0616N10NM5HSC SP005754001

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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