IPW65R145CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW65R145CFD7AX1
IPW65R145CFD7AXKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
145 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
36 nC
- 40 C
+ 150 C
98 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: DE
Type de produit: MOSFETs
Série: CoolMOS CFD7A
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPW65R145CFD7A SP005398483
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS™ 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS 650 V™ d'Infineon répondent aux applications de véhicules électriques telles que les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC-CC HT-LV et les alimentations auxiliaires.  Grâce à la résistance améliorée aux radiations cosmiques, les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS permettent d’appliquer des tensions de batterie plus élevées à un taux de fiabilité égal à celui des générations précédentes et à d’autres offres du marché. Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS assurent des niveaux de haut rendement dans les topologies de commutation dure et résonnante, en particulier dans des conditions de faible charge. Des fréquences de commutation plus élevées à des niveaux de perte de grille comparables à ceux des anciennes générations peuvent être atteintes. La réduction du poids du système et de l'encombrement permettent des conceptions plus compactes.