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IPD90P04P4L04ATMA2

Name: Infineon IPD90P04P4L04ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD90P04P4L04AT2
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPD90P04P4L04AT2

N° de fab. :

IPD90P04P4L04ATMA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Fiche technique:

IPD90P04P4L04ATMA2 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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	2,37 €	2,37 €
	1,53 €	15,30 €
	1,06 €	106,00 €
	0,857 €	428,50 €
	0,802 €	802,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,801 €	2.002,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.7 V
Qg - Charge de grille:	135 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPD90P04P4L-04 SP002325782 IPD90P04P4L04ATMA1 SP000840194
Poids de l''unité:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles OptiMOS®-P2

Les MOSFET automobiles OptiMOS®-P2 d'Infineon Technologies offrent une gamme complète de MOSFET de puissance automobile à canal P utilisant la technologie OptiMOS-P2 et Gen5. Les MOSFET automobiles sont homologués AEC et prennent en charge une température de fonctionnement de 175°°C. Les MOSFET automobiles OptiMOS-P2 d'Infineon sont disponibles en boîtiers DPAK, D2PAK, TO220, TO262 et SO8.