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IPD30N08S2L21ATMA1

Name: Infineon IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD30N08S2L21ATM
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPD30N08S2L21ATM

N° de fab. :

IPD30N08S2L21ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

Fiche technique:

IPD30N08S2L21ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,09 €	2,09 €
	1,35 €	13,50 €
	0,92 €	92,00 €
	0,735 €	367,50 €
	0,686 €	686,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,615 €	1.537,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPD30N08S2L-21

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,15 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	15.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	72 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD30N08S2L-21 SP000252170
Poids de l''unité:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.