Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R190CFD7A1
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPBE65R190CFD7A1

N° de fab. :

IPBE65R190CFD7AATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Fiche technique:

IPBE65R190CFD7AATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1

En stock: 860

Stock:: 860 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 860 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,57 €	3,57 €
	2,34 €	23,40 €
	1,70 €	170,00 €
	1,53 €	765,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,38 €	1.380,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	77 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Type de produit:	MOSFETs
Série:	CoolMOS CFD7A
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPBE65R190CFD7A SP005398486

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IPBE65R190CFD7AATMA1 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS™ 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS 650 V™ d'Infineon répondent aux applications de véhicules électriques telles que les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC-CC HT-LV et les alimentations auxiliaires. Grâce à la résistance améliorée aux radiations cosmiques, les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS permettent d’appliquer des tensions de batterie plus élevées à un taux de fiabilité égal à celui des générations précédentes et à d’autres offres du marché. Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS assurent des niveaux de haut rendement dans les topologies de commutation dure et résonnante, en particulier dans des conditions de faible charge. Des fréquences de commutation plus élevées à des niveaux de perte de grille comparables à ceux des anciennes générations peuvent être atteintes. La réduction du poids du système et de l'encombrement permettent des conceptions plus compactes.