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IMDQ75R033M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R033M2HXTM
Price: 8.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMDQ75R033M2HXTM

N° de fab. :

IMDQ75R033M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMDQ75R033M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,62 €	8,62 €
	6,74 €	67,40 €
	5,62 €	562,00 €
	4,93 €	2.465,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
	4,45 €	3.337,50 €
	4,44 €	9.990,00 €
4.500	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-HDSOP-22
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	53 A
Rds On - Résistance drain-source:	41.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	8 ns
Série:	CoolSiC G2
Nombre de pièces de l'usine:	750
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Silicon Carbide MOSFET
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMDQ75R033M2H SP006089240

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Fiche technique

IMDQ75R033M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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