Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IMCQ120R078M2HXTMA1

Name: Infineon IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMCQ120R078M2HXT
Price: 6.3 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IMCQ120R078M2HXT

N° de fab. :

IMCQ120R078M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMCQ120R078M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IMCQ120R078M2HXTMA1

En stock: 570

Stock:: 570 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,30 €	6,30 €
	4,27 €	42,70 €
	3,21 €	321,00 €
	3,00 €	1.500,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
	3,00 €	2.250,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-HDSOP-22-U03
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	205 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.1 V
Qg - Charge de grille:	23.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	4.8 ns
Transconductance directe - min.:	3 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	3.2 ns
Série:	1200 V G2
Nombre de pièces de l'usine:	750
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	11.7 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMCQ120R078M2H SP005974971

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IMCQ120R078M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC ™ 1 200 V en carbure de silicium G2

Les MOSFET en carbure de silicium 1 200 V CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent des solutions hautes performances pour les applications d’électronique de puissance. Ces MOSFET démontrent d’excellentes caractéristiques électriques et présentent de très faibles pertes de commutation permettant une exploitation efficace. Les MOSFET 1 200 V G2 sont conçus pour les conditions de surcharge, prenant en charge l’exploitation jusqu’à 200 °C et peuvent supporter des court-circuits jusqu’à 2 µs. Ces dispositifs disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,2 V V_GS(th) et garantissent un contrôle précis. Le MOSFET CoolSiC 1 200 V G2 est disponible en trois boîtiers qui s’appuient sur les atouts de la technologie Generation 1 pour fournir des solutions avancées pour des systèmes plus optimisés en termes de coûts, efficaces, compacts, faciles à concevoir et fiables. La Generation 2 améliore considérablement les indicateurs clés de mérite pour les topologies à commutation dure/douce, idéales pour toutes les combinaisons courantes d’étages CC-CC, CA-CC et CC-CA.