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FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 495.29 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-FS1150R08A8P3CHP

N° de fab. :

FS1150R08A8P3CHPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets HybridPACK Drive G2 module

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	Power Modules
Type:	Drive G2 Module
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.76 V
Vr - Tension inverse:	400 V
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	DIP-7
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 V
Série:	HybridPACK
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Sixpack
Temps de descente:	91 ns
Id - Courant continu de fuite:	600 A
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Délai de désactivation type:	929 ns
Délai d'activation standard:	222 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.8 V
Raccourcis pour l'article N°:	FS1150R08A8P3C SP006071554

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules HybridPACK™ Drive G2

Les modules HybridPACK ™ Drive G2 d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation compacts conçus pour les tractions de véhicules électriques et hybrides. Les modules G2 d'Infineon Technologies offrent des niveaux de performances évolutifs en utilisant les technologies Si ou SiC et différents chipsets, tout en conservant la même taille de module. Introduit en 2017 avec technologie EDT2 silicium, il a été optimisé pour plus d'efficacité en conduite réelle. En 2021, une version CoolSiC™ a été introduite, offrant une densité de cellule plus élevée et de meilleures performances. En 2023, la deuxième génération, HybridPACK Drive G2, a été lancée avec les technologies de MOSFET EDT3 (Si IGBT) et CoolSiC™ G2, offrant plus de facilité d'utilisation et d'options d'intégration pour les capteurs, permettant des performances atteignant 300 kW dans les classes 750 V et 1 200 V.