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EVALBDPSDRIVERTOBO1

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N° Mouser :

726-EVALBDPSDRIVERTO

N° de fab. :

EVALBDPSDRIVERTOBO1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation EVAL_BDPS_DRIVER

Cycle de vie:

Disponibilité restreinte:

Cette référence n''est actuellement pas disponible auprès de Mouser. Le produit peut être disponible en distribution limitée ou par commande spéciale d''usine.

Fiche technique:

EVALBDPSDRIVERTOBO1 Fiche technique (PDF)

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Produit:	Evaluation Boards
Tension d'entrée:	36 V to 75 V
L'outil sert à l'évaluation de:	IPTG014N10NM5, BAS3010B
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	HK
Dimensions:	65 mm x 16.5 mm
Courant de sortie:	30 A
Conditionnement:	Bulk
Type de produit:	Power Management IC Development Tools
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools
Raccourcis pour l'article N°:	EVAL_BDPS_DRIVER SP005593430

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Fiche technique

EVALBDPSDRIVERTOBO1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 9030820000
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

La carte d'évaluation EVAL_BDPS_DRIVER

La carte d'évaluation EVAL_BDPS_DRIVER d'Infineon Technologies dispose de l'EiceDRIVER™ 2EDF7175F. L'EVAL_BDPS_DRIVER d' Infineon Technologies est conçue pour répondre à des conditions critiques telles que la surcharge, la sous-charge et les courts-circuits. Ce pilote de MOSFET dos-à-dos côté haut et bas bidirectionnel offre une fonctionnalité inégalée. Cette carte est polyvalente grâce à sa capacité de pilotage modulaire pour les MOSFET dos-à-dos côté haut et bas et à un nombre impressionnant de parallélisations de MOSFET. Spécialement conçue pour la protection de batterie dans les packs avec des tensions nominales égales ou inférieures à 48 V, elle garantit un prototypage rapide et sans effort.

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