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DF200R12KE3

Name: Infineon DF200R12KE3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF200R12KE3
Price: 92.4 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

641-DF200R12KE3

N° de fab. :

DF200R12KE3

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200V 200A DUAL

Fiche technique:

DF200R12KE3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.7 V
Courant collecteur continu de 25 C:	200 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 kW
Package/Boîte:	IS5a ( 62 mm )-5
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Screw Mount
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	IGBT3 - E3
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Poids de l''unité:	340 g