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BSC110N06NS3 G

Name: Infineon BSC110N06NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC110N06NS3G
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSC110N06NS3G

N° de fab. :

BSC110N06NS3 G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Fiche technique:

BSC110N06NS3 G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,23 €	1,23 €
	0,771 €	7,71 €
	0,512 €	51,20 €
	0,404 €	202,00 €
	0,364 €	364,00 €
	0,334 €	835,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,30 €	1.500,00 €
	0,291 €	2.910,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BSC110N06NS3GATMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,37 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	33 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	25 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	77 ns
Série:	OptiMOS 3
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000453668 BSC11N6NS3GXT BSC110N06NS3GATMA1
Poids de l''unité:	100 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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