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BF 771 E6327

Name: Infineon BF 771 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BF771E6327
Price: 0.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BF771E6327

N° de fab. :

BF 771 E6327

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Transistors bipolaires RF NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,576 €	0,58 €
	0,357 €	3,57 €
	0,241 €	24,10 €
	0,174 €	87,00 €
	0,151 €	151,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,128 €	384,00 €
	0,118 €	708,00 €
	0,108 €	972,00 €
	0,098 €	2.352,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BF771E6327HTSA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,37 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires RF
RoHS:
Série:	BF771
Technologie:	Si
Polarité du transistor:	NPN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	70
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	12 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	2 V
Courant de collecteur continu :	80 mA
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Configuration:	Single
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Courant CC max. du collecteur:	80 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	580 mW
Type de produit:	RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	SP000010967 BF771E6327XT BF771E6327HTSA1
Poids de l''unité:	8 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistors RF Infineon

Les transistors RF Infineon comportent des transistors à haute linéarité et des amplificateurs à faible bruit. Les composants figurant dans la catégorie à faible bruit sont basés sur une technologie de silicium bipolaire. Une fréquence de transition modérée de fT < 20 GHz procure facilité d'utilisation et stabilité. La tension de rupture peut soutenir en toute sécurité une tension d'alimentation de 5 V. Ces transistors conviennent à une utilisation AM sur VHF/UHF, jusqu'à 14 GHz.

Transistors à haute linéarité fournissant un OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point, point d'intersection au 3e ordre en sortie) supérieur à 29 dBm. Ils sont basés sur les technologies SiGe:C et bipolaires de silicium en gros volume d'Infineon pour atteindre les meilleurs chiffres au niveau du bruit de leur catégorie. Ces composants sont idéaux pour les pilotes, pré-amplificateurs et amplificateurs à tampon.