6EDL04I06NTXUMA1

Infineon Technologies
726-6EDL04I06NTXUMA1
6EDL04I06NTXUMA1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

Fiche technique:
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Stock:
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Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,52 € 2,52 €
2,06 € 20,60 €
1,85 € 46,25 €
1,71 € 171,00 €
1,63 € 407,50 €
1,59 € 795,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
1,50 € 1.500,00 €
1,48 € 7.400,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
6EDL04I06NT
Conditionnement:
Reel, Cut Tape
Disponibilité:
En stock
Prix:
4,07 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Full-Bridge
SMD/SMT
DSO-28
6 Driver
6 Output
165 mA
13 V
17.5 V
60 ns
26 ns
- 40 C
+ 105 C
Infineon SOI
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Type de logique: CMOS, LSTTL
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 1.1 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 1.3 W
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 800 ns
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: EiceDRIVER
Raccourcis pour l'article N°: 6EDL04I06NT SP000926082
Poids de l''unité: 734,500 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

CI pilote de grille EiceDRIVER™

Les CI pilotes de grille EiceDRIVER™ Infineon sont conçus pour les MOSFET, les IGBT, les MOSFET SiC et les dispositifs HEMT GaN. Les pilotes de grille EiceDRIVER™ fournissent une large gamme d’options de courant de sortie standard, de 0,1 A à 10 A. Ces composants disposent de solides caractéristiques de protection du pilote de grille telles que la protection rapide contre les courts-circuits (DESAT), la pince Miller active, la protection contre les courants traversants, les défaillances, l’arrêt et la protection contre les surintensités. Ces caractéristiques rendent ces CI de pilote bien adaptés aux dispositifs de puissance au silicium et à large bande interdite, notamment CoolGaN™ et CoolSiC™. C’est pourquoi Infineon offre plus de 500 solutions de CI de pilote de grille EiceDRIVER™ adaptées à n’importe quel commutateur de puissance et à n’importe quelle application.

Fast DC EV Charging Solutions

Infineon Technologies Fast DC Electric Vehicle (EV) Charging Solutions address the needs for e-mobility. With the ever-growing number of electric vehicles on the market and pressure from governments to reduce vehicle emissions to zero by 2050, there is a great need for more efficient charging solutions. As various consumer studies show, the acceptance of electromobility depends largely on the availability and duration of the charging process. High-power DC charging stations are the answer to these market requirements. Today, a typical electric vehicle can charge about 80% of its battery capacity in less than 10 minutes. This is comparable to refueling a conventional car with an internal combustion engine. Infineon helps bring energy-efficient DC fast-charging designs to life. Benefit from a comprehensive, ready-to-implement one-stop product and design portfolio that covers the entire product range from power conversion, microcontrollers, security, auxiliary power supply, and communication.

CI pilotes de grille SOI (silicium sur isolant)

Les CI pilotes de grille SOI (silicium sur isolator ) d'Infineon sont des CI pilotes de grille haute tension à décalage de niveau pour les IGBT et les MOSFET. La technologie SOI est une technologie haute tension de décalage de niveau offrant des avantages uniques, mesurables et les meilleurs de leur catégorie. Parmi ceux-ci, une diode d'amorçage intégrée et la plus grande robustesse du secteur pour protéger contre les pics de tension transitoire négatifs. Chaque transistor est isolé par du dioxyde de silicium encastré, ce qui élimine les transistors bipolaires parasites à l'origine des verrouillages. Cette technologie peut également réduire les pertes de puissance de décalage de niveau pour minimiser la dissipation de puissance due à la commutation du composant. Le procédé avancé permet de fabriquer des circuits monoblocs haute tension et basse tension offrant des avantages technologiques supérieurs.

Small Home Appliance Solutions

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6ED Full-Bridge Driver ICs

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EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

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Infineon Automatic Opening Systems

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Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

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