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IXTY08N100P

Name: IXYS IXTY08N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY08N100P
Price: 3.94 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTY08N100P

N° de fab. :

IXTY08N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

Fiche technique:

IXTY08N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,94 €	3,94 €
	2,28 €	22,80 €
	1,98 €	138,60 €
	1,75 €	980,00 €
	1,64 €	1.722,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	800 mA
Rds On - Résistance drain-source:	20 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	11.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	34 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	37 ns
Série:	IXTY08N100
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Poids de l''unité:	330 mg