IXTX170P10P

Name: IXYS IXTX170P10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX170P10P
Price: 19.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTX170P10P

N° de fab. :

IXTX170P10P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

Fiche technique:

IXTX170P10P Fiche technique

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	170 A
Rds On - Résistance drain-source:	12 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	240 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Transconductance directe - min.:	58 S/35 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXTX170P10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 g

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CAHTS:: 8541290000
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KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

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IXTX170P10P

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