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IXTQ180N10T

Name: IXYS IXTQ180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ180N10T
Price: 3.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTQ180N10T

N° de fab. :

IXTQ180N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

Fiche technique:

IXTQ180N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.4 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	31 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	54 ns
Série:	IXTQ180N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	5,500 g

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Fiche technique

IXTQ180N10T Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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