IXTQ10P50P

IXYS
747-IXTQ10P50P
IXTQ10P50P

Fab. :

Description :
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 500

Stock:
500 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
28 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,40 € 7,40 €
4,11 € 41,10 €
3,58 € 429,60 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
P-Channel
1 Channel
500 V
10 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 44 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 28 ns
Série: IXTQ10P50
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 52 ns
Délai d'activation standard: 20 ns
Poids de l''unité: 1,600 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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