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IXTP450P2

Name: IXYS IXTP450P2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP450P2
Price: 6.44 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTP450P2

N° de fab. :

IXTP450P2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

Fiche technique:

IXTP450P2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,44 €	6,44 €
	3,20 €	32,00 €
	2,61 €	261,00 €
	2,57 €	1.285,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	330 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Polar2 HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXTP450
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IXTP450P2 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Systèmes de drones commerciaux et tactiques

Les Systèmes de drones commerciaux et tactiques Littelfuse offrent des solutions de protection de batteries au lithium, de chargeurs de batteries et de distribution d'énergie. Ces systèmes fournissent des fusibles de protection d'entrées/de protection contre les surintensités, des MOSFET de commutation de semiconducteurs et des diodes TVS pour la protection contre lesrégimes transitoires/surtensions de sortie en CC. Les systèmes de drones (UAV) commerciaux et tactiques offrent une protection de batterie >60 V et fournissent un isolement contre les anomalies de bloc principal, une déconnexion de batterie/un contrôle de chemin d'alimentation (assistance de précharge) et une protection contre les surintensités de circuits de dérivation. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

Systèmes de drones militaires hybrides /à propulsion thermique

Les systèmes de drones à propulsion thermique/hybrides militaires de Littelfuse offrent des solutions de conversion d'énergie et de bus CC, de distribution d'électricité et d'alimentation électrique de chargeurs/de mise à la terre. Ces systèmes prennent en charge la conversion d'énergie et un bus CC à diode de redressement qui convertit la tension d'une ligne de CA en tension continue. Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) à propulsion thermique/hybrides militaires fournissent des diodes TVS, des fusibles et des MOSFET pour des commutateurs à semiconducteurs, pour la protection contre les surtensions et pour le redressement électrique. Ces systèmes proposent des produits de qualité AEC-Q/MIL pour diverses fonctions. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (t_rr <=250ns).